Descripción
Il presente lavoro e dedicato all'analisi termodinamica dei processi fisico-chimici di crescita degli strati epitassiali del composto semiconduttore Ga2Se3 dalla fase gassosa nel sistema di flusso Ga - Se - Cl - H e alla modellazione dei processi tecnologici per la previsione di possibili varianti tecnologiche e la determinazione delle condizioni ottimali per la sintesi di questo composto.